可熔性聚四氟乙烯PFA的熔点是302-315℃，低于聚四氟乙烯，但**聚三氟氯乙烯和聚全氟乙丙烯，高连续使用温度为260℃，与聚四氟乙烯相同。PFA的热变形温度很低，在1.81MPa载荷下仅48℃，0.45MPa载荷下为75℃。可熔性聚四氟乙烯PFA具有与聚四氟乙烯相似的较优异电性能，电性能基本上不受电场频率的影响，且在很宽的温度范围内保持不变。在60～l09Hz 电场内，介电常数保持不**过2.1，60～106Hz内，介电损耗保持在10数量级，109Hz电场中，介电损耗增大到10-3数量级.与聚四氟乙烯一样，可熔性聚四氟乙烯PFA的化学性质较为稳定，除了高温元素氟和熔融碱金属可以使它分解外，其他一切试剂对它几乎不起作用。除上述品质外，可熔性聚四氟乙烯还具有如同聚四氟乙烯一样的不粘性、不燃性和耐老化性。加工与应用:可熔性聚四氟乙烯PFA可以采用注塑、挤出、模压等成型方法。但该聚合物临界剪切速率较低，注塑和挤出时只宜采用较低的出料速率和成型压力。注塑可在柱塞式或螺杆式注塑机上进行，料筒温度后、中、前部分别为200℃，300℃，405℃，注塑压力40-50MPa，模具温度约200℃。挤出时采用长径比20-24，压缩比为3的螺杆，料筒前、中、后三段温度分别为295-310℃，400-410℃，420-430℃，机头口模温度约400-420℃。模压成型温度330-380℃，压力5.0～14.0MPa，在成型温度下保持20-30min，然后在压力下缓冷至200-240℃，方可脱模。
PFA管的透明程度高，可以观察管道内情况，但PFA管的可挠性小，尤其对大口径PFA管几乎不能弯折，为此可制成螺旋形管，提高它的柔性。若在PFA管外以不锈钢丝编织增强，能制成液压软管。集成电路(IC)在几平方毫米的硅片表面要安装众多的晶体管、阻抗和电容等元件。随着电子设备高性能化、小型化的发展，集成电路的集成度越来越高，朝大规模集成电路(LSI)和**大规模集成电路(UI。SI)方向发展。在半导体元件集成度提高的同时，对制造它设备的材料提出了高耐蚀、高耐热和高纯度的要求。PFA 具备满足这“三高”的技术要求且有良好的成型性，因此 PFA成为半导体工业各种生产过程所用设备的原材料。LSI的制造要经过单晶硅片的表面氧化处理、照相制版处理、掺杂处理和蒸汽处理等工序，这些工序中又要经过侵蚀、洗净处理等，都要使用PFA制品。侵蚀处理是把插在托架上的单晶硅片放人吊篮内浸入侵蚀液中，以溶解不受保护的Sioz等.侵蚀过程中硅晶片的托架（承载器）多用PFA制成，理由是上述酸、碱的腐蚀性强，若托架受到侵蚀则会污染硅晶片，且处理温度高，在高温下还需有一定的机械强度和尺寸稳定性、不黏性，而且托架的形状复杂，需能注射成型。半导体工业中应用的PFA制品除托架、吊篮等各种形状的容器外，还有直径6-50mm的管子、管配件、阀、泵、流量计和过滤器等。LSI和ULSI用的半导体制品需防外界污染，提高产品合格率，为此所用的管道、设备都不允许污染**纯水和药液。
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